搜索引擎 + AI 驱动的行业新闻【覆盖行业】信保 ｜出口 ｜金融 制造 ｜农业 ｜建筑 ｜地产 零售 ｜物流 ｜数智【访问入口】hangyexinwen.com【新闻分享】点击发布时间即可分享【联系我们】xinbaoren.com（微信内打开提交表单）https://zhizao.hangyexinwen.comhttps://zhizao.hangyexinwen.com/posts/13621https://zhizao.hangyexinwen.com/posts/13621Sun, 23 Aug 2026 18:03:34 GMT⁣<br /><b><i><b>📰</b></i> SemiAnalysis：闪存制造正“由钨转钼”-证券之星</b><br /><br />SemiAnalysis指出，3D NAND在约300层后遇到钨字线的物理瓶颈，电阻过高、氟基化学工艺导致漏电，以及在超深孔中填充困难，促使向钼转型成为必然选择。相较钨，钼具备更低电阻、无需氟基化学工艺以及在高深宽比结构中的更好填充能力，这三点正好回应深层堆叠中暴露的缺陷。当前量产仍在2xx层，行业分布显示铠侠/闪迪218层、美光276层、三星286层、SK海力士321层，向3xx至4xx层跃进已启动。SemiAnalysis预计2025年至2027年，钼在NAND总产能中的占比将由中个位数提升至约30%，三大厂商均已宣布转向钼工艺，三星自2024年起进入量产，美光2025年在Lam Research ALTUS Halo设备上启动大规模量产，SK海力士计划2026年底推出375层钼NAND。设备市场方面，钼沉积设备2027年年销售将超过10亿美元，至2030年约20亿美元/年，受益延伸覆盖DRAM与逻辑芯片的转型。 Lam Research等设备商将最先受益，后续AMAT、ASMI及北方华创等也将受益于后续扩展。上述趋势与细分市场测算已纳入前道设备模型，显示钼工艺对未来存储与计算体系的结构性影响。以上信息整理自SemiAnalysis及相关报道。<br /><br /><i><b>🏷️</b></i> <a href="/search/%23%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93">#半导体</a> <a href="/search/%233DNAND">#3DNAND</a> <a href="/search/%23%E9%92%BC%E5%B7%A5%E8%89%BA">#钼工艺</a> <a href="/search/%23%E9%92%A8%E6%9B%BF%E4%BB%A3">#钨替代</a> <a href="/search/%23%E5%AD%98%E5%82%A8%E8%AE%BE%E5%A4%87">#存储设备</a><br /><br /><i><b>🔗</b></i> <a href="https://wap.stockstar.com/detail/IG2026082300012508" target="_blank">原文链接</a>