<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0" xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"><channel><title>G5平台 | 行业新闻_制造（点击查看更多）</title><description>搜索引擎 + AI 驱动的行业新闻【覆盖行业】信保 ｜出口 ｜金融 制造 ｜农业 ｜建筑 ｜地产  零售 ｜物流 ｜数智【访问入口】hangyexinwen.com【新闻分享】点击发布时间即可分享【联系我们】xinbaoren.com（微信内打开提交表单）</description><link>https://zhizao.hangyexinwen.com</link><item><title>⁣📰 2026世界制造业大会｜长鑫存储第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破_中安在线2026世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现量产，并同期展示基于G5平台的大容量LPDDR5X新品</title><link>https://zhizao.hangyexinwen.com/posts/14759</link><guid isPermaLink="true">https://zhizao.hangyexinwen.com/posts/14759</guid><pubDate>Mon, 21 Sep 2026 00:03:28 GMT</pubDate><content:encoded>⁣&lt;br /&gt;&lt;b&gt;&lt;i&gt;&lt;b&gt;📰&lt;/b&gt;&lt;/i&gt; 2026世界制造业大会｜长鑫存储第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破_中安在线&lt;/b&gt;&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;2026世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现量产，并同期展示基于G5平台的大容量LPDDR5X新品。G5平台在多项关键工艺上实现突破，采用四重曝光技术将有源区半间距缩小至11.95纳米，靠近全球顶尖制程水平；通过工艺流程变革与新材料应用，存储电容深宽比达45:1；还开发了适配DRAM工艺的高介电常数金属栅工艺，将核心功能区缩小至6762纳米。研发过程中，建立了数字孪生系统覆盖设计、开发、制造、维护等全生命周期，支撑工艺模型与研发进程加速，并在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等方面取得突破。G5微缩工艺提升存储密度与能效，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，成本控制与性能提升明显。大会同期展出两款24Gb LPDDR5X量产产品，封装规格分别为496Ball、245Ball，适配中高端智能手机与便携消费电子，均已进入规模量产。未来，长鑫存储将继续面向全球市场推进技术迭代，提供更高性能与可靠性的存储解决方案，支撑全球数字产业的发展。&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;&lt;i&gt;&lt;b&gt;🏷️&lt;/b&gt;&lt;/i&gt; &lt;a href=&quot;/search/%23DRAM&quot;&gt;#DRAM&lt;/a&gt; &lt;a href=&quot;/search/%23G5%E5%B9%B3%E5%8F%B0&quot;&gt;#G5平台&lt;/a&gt; &lt;a href=&quot;/search/%23LPDDR5X&quot;&gt;#LPDDR5X&lt;/a&gt; &lt;a href=&quot;/search/%23%E9%87%8F%E4%BA%A7&quot;&gt;#量产&lt;/a&gt; &lt;a href=&quot;/search/%23%E5%AD%98%E5%82%A8&quot;&gt;#存储&lt;/a&gt;&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;&lt;i&gt;&lt;b&gt;🔗&lt;/b&gt;&lt;/i&gt; &lt;a href=&quot;http://ah.anhuinews.com/szxw/202609/t20260920_9599704.html&quot; target=&quot;_blank&quot;&gt;原文链接&lt;/a&gt;</content:encoded></item></channel></rss>