搜索引擎 + AI 驱动的行业新闻【覆盖行业】信保 ｜出口 ｜金融 制造 ｜农业 ｜建筑 ｜地产 零售 ｜物流 ｜数智【访问入口】hangyexinwen.com【新闻分享】点击发布时间即可分享【联系我们】xinbaoren.com（微信内打开提交表单）https://zhizao.hangyexinwen.comhttps://zhizao.hangyexinwen.com/posts/14737https://zhizao.hangyexinwen.com/posts/14737Sun, 20 Sep 2026 10:04:25 GMT⁣<br /><b><i><b>📰</b></i> 长鑫存储宣布：第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破_四川在线</b><br /><br />在2026年世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台实现量产，并推出基于该平台的24Gb LPDDR5X产品，已进入国产主流旗舰手机。该平台在关键工艺维度实现多项行业领先突破，依托“四重曝光”技术将有源区半间距缩至11.95纳米，近乎全球顶尖制程水平；通过新材料与工艺革新，存储电容深宽比达到45:1，并开发适配DRAM工艺的高介电常数HKMG工艺，将核心功能区缩小至6762纳米。这些创新推动存储密度显著提升，单片晶圆产出量较第四代提升至少50%，并在能效与成本控制方面具备优势。回顾发展脉络，企业在2019年就已官方宣布第一代技术平台，2019年投产的自主制造项目与10纳米级8Gb DDR4实现并行竞争。进入2026年，长鑫科技登陆科创板，市值一度超3.28万亿元，成为我国DRAM研发设计制造一体化的标志性企业。展望未来，骆晓东表示将持续面向全球市场推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业提供坚实底层支撑。<br /><br /><i><b>🏷️</b></i> <a href="/search/%23DRAM">#DRAM</a> <a href="/search/%23%E5%AD%98%E5%82%A8%E8%8A%AF%E7%89%87">#存储芯片</a> <a href="/search/%23%E9%87%8F%E4%BA%A7">#量产</a> <a href="/search/%23HKMG">#HKMG</a> <a href="/search/%23%E9%AB%98%E4%BB%8B%E7%94%B5%E5%B8%B8%E6%95%B0">#高介电常数</a><br /><br /><i><b>🔗</b></i> <a href="https://sichuan.scol.com.cn/ggxw/202609/83327342.html" target="_blank">原文链接</a>