<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0" xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"><channel><title>HighNAEUV | 行业新闻_制造（点击查看更多）</title><description>搜索引擎 + AI 驱动的行业新闻【覆盖行业】信保 ｜出口 ｜金融 制造 ｜农业 ｜建筑 ｜地产  零售 ｜物流 ｜数智【访问入口】hangyexinwen.com【新闻分享】点击发布时间即可分享【联系我们】xinbaoren.com（微信内打开提交表单）</description><link>https://zhizao.hangyexinwen.com</link><item><title>⁣📰 ASML与台积电共推12英寸掩模版标准，为AI大芯片打通制造命脉全球光刻设备龙头ASML与台积电达成合作，将6英寸掩模模板升级为12英寸，首次实现单次曝光覆盖更大面积，解决High NA EUV在光学设计上的曝光面积受限难题</title><link>https://zhizao.hangyexinwen.com/posts/14427</link><guid isPermaLink="true">https://zhizao.hangyexinwen.com/posts/14427</guid><pubDate>Sat, 12 Sep 2026 03:03:48 GMT</pubDate><content:encoded>⁣&lt;br /&gt;&lt;b&gt;&lt;i&gt;&lt;b&gt;📰&lt;/b&gt;&lt;/i&gt; ASML与台积电共推12英寸掩模版标准，为AI大芯片打通制造命脉&lt;/b&gt;&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;全球光刻设备龙头ASML与台积电达成合作，将6英寸掩模模板升级为12英寸，首次实现单次曝光覆盖更大面积，解决High NA EUV在光学设计上的曝光面积受限难题。AI处理器面积增大至约800平方毫米，若仍使用6英寸掩模需拼接曝光，易导致产能下降与表面接缝带来良率与可靠性隐患。因此改用12英寸掩模模板后，High NA EUV设备可实现单次曝光印制当前最大规格芯片，提升产能并降低缺陷风险。行业层面需生态协同调整，掩模基板、薄膜保护、写入检测、自动化搬运等全产业链共同适配，十年内形成新标准。台积电董事长魏哲家与ASMLCEO富凯表示将渐进推进，初期仍以6英寸为主，2030年前后逐步过渡，2033年进入大规模量产。英特尔、三星、SK海力士等也在不同阶段推进High NA量产，形成全球协同发展态势。本次合作被视为AI时代对半导体制造的里程碑，ASML的市场地位和产业链协同能力将被进一步巩固，同时也为未来十年的设备投资与技术路线指明方向。&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;&lt;i&gt;&lt;b&gt;🏷️&lt;/b&gt;&lt;/i&gt; &lt;a href=&quot;/search/%23%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93&quot;&gt;#半导体&lt;/a&gt; &lt;a href=&quot;/search/%23%E5%85%89%E5%88%BB&quot;&gt;#光刻&lt;/a&gt; &lt;a href=&quot;/search/%23HighNAEUV&quot;&gt;#HighNAEUV&lt;/a&gt; &lt;a href=&quot;/search/%23%E6%8E%A9%E6%A8%A1%E6%A8%A1%E6%9D%BF&quot;&gt;#掩模模板&lt;/a&gt; &lt;a href=&quot;/search/%23%E4%BA%A7%E4%B8%9A%E5%8D%8F%E5%90%8C&quot;&gt;#产业协同&lt;/a&gt;&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;&lt;i&gt;&lt;b&gt;🔗&lt;/b&gt;&lt;/i&gt; &lt;a href=&quot;https://www.industrysourcing.cn/article/479550&quot; target=&quot;_blank&quot;&gt;原文链接&lt;/a&gt;</content:encoded></item></channel></rss>