📰 一边龙头倒下一边多点落地, 第三代半导体走到哪一步? - OFweek智能制造网

本文聚焦第三代半导体的两大主角碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN),梳理全球产业格局的变动与中国企业的逆袭。碳化硅方面,Wolfspeed 因产能与成本问题在2025年申请Chapter 11,银行债务重组后仍在裁减规模,但仍具备300mm晶圆量产与高压器件的核心技术,AI数据中心相关业务实现持续增长。中国企业在材料端崭露头角,天岳先进等已成为全球导电型SiC衬底的重要玩家,12英寸衬底技术突破有望降低高端芯片的散热和成本压力,8英寸产线升级及产能扩张正在推进。氮化镓方面,应用场景从通信基站扩展至消费电子与AI数据中心电源,实现规模化商用,国产厂商在射频、功率器件领域快速追赶,英诺赛科等企业在全球市场占据关键地位。AR/车载等新应用也推动SiC光波导与SiC材料的产业链协同,国内产业链合纵连横日趋完善。展望未来,全球分工将进一步深化:中国在上游材料与代工环节展现成本优势,全球IDM巨头则通过技术领先与垂直整合稳住高端市场,氧化镓、金刚石等第四代材料也在产业化进程中逐步落地。

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