📰 三星氮化镓,再次延期
三星电子在龙仁器兴园区新建的一条8英寸氮化镓（GaN）功率半导体代工线，月产能约1300-1500片晶圆，正在进行试产和对无厂设计芯片的测试。但在高温环境下，部分芯片经1000小时的暴露后停止工作，暴露出工艺与材料质量问题。GaN器件在高压和高温场景（如电动汽车、机器人、数据中心）具有潜在优势，然而可靠性问题可能限制现有工艺的实用性。分析人士指出，晶圆外延与工艺修改是关键关注点，若对阈值电压和寿命的平衡处理不当，易在高温高压下放大缺陷。三星此前计划在2025年推出GaN代工线，因功率半导体市场低于预期推迟至2026年底，最新问题可能再推迟数月。对比英飞凌、意法、TI等已实现商业化的对手，三星尚处于量产前阶段，且无厂代工公司正评估格芯、力积电、X-FAB等替代伙伴。在尚未解决可靠性前，一些客户正考虑其他代工选项。公开信息强调这是大规模生产前的试错阶段，是否构成缺陷尚待进一步判断。
🏷️ #GaN #代工 #可靠性 #工艺 #半导体
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📰 三星氮化镓,再次延期
三星电子在龙仁器兴园区新建的一条8英寸氮化镓（GaN）功率半导体代工线，月产能约1300-1500片晶圆，正在进行试产和对无厂设计芯片的测试。但在高温环境下，部分芯片经1000小时的暴露后停止工作，暴露出工艺与材料质量问题。GaN器件在高压和高温场景（如电动汽车、机器人、数据中心）具有潜在优势，然而可靠性问题可能限制现有工艺的实用性。分析人士指出，晶圆外延与工艺修改是关键关注点，若对阈值电压和寿命的平衡处理不当，易在高温高压下放大缺陷。三星此前计划在2025年推出GaN代工线，因功率半导体市场低于预期推迟至2026年底，最新问题可能再推迟数月。对比英飞凌、意法、TI等已实现商业化的对手，三星尚处于量产前阶段，且无厂代工公司正评估格芯、力积电、X-FAB等替代伙伴。在尚未解决可靠性前，一些客户正考虑其他代工选项。公开信息强调这是大规模生产前的试错阶段，是否构成缺陷尚待进一步判断。
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