📰 长鑫存储宣布：第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破_四川在线
在2026年世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台实现量产，并推出基于该平台的24Gb LPDDR5X产品，已进入国产主流旗舰手机。该平台在关键工艺维度实现多项行业领先突破，依托“四重曝光”技术将有源区半间距缩至11.95纳米，近乎全球顶尖制程水平；通过新材料与工艺革新，存储电容深宽比达到45:1，并开发适配DRAM工艺的高介电常数HKMG工艺，将核心功能区缩小至6762纳米。这些创新推动存储密度显著提升，单片晶圆产出量较第四代提升至少50%，并在能效与成本控制方面具备优势。回顾发展脉络，企业在2019年就已官方宣布第一代技术平台，2019年投产的自主制造项目与10纳米级8Gb DDR4实现并行竞争。进入2026年，长鑫科技登陆科创板，市值一度超3.28万亿元，成为我国DRAM研发设计制造一体化的标志性企业。展望未来，骆晓东表示将持续面向全球市场推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业提供坚实底层支撑。
🏷️ #DRAM #存储芯片 #量产 #HKMG #高介电常数
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📰 长鑫存储宣布：第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破_四川在线
在2026年世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台实现量产，并推出基于该平台的24Gb LPDDR5X产品，已进入国产主流旗舰手机。该平台在关键工艺维度实现多项行业领先突破，依托“四重曝光”技术将有源区半间距缩至11.95纳米，近乎全球顶尖制程水平；通过新材料与工艺革新，存储电容深宽比达到45:1，并开发适配DRAM工艺的高介电常数HKMG工艺，将核心功能区缩小至6762纳米。这些创新推动存储密度显著提升，单片晶圆产出量较第四代提升至少50%，并在能效与成本控制方面具备优势。回顾发展脉络，企业在2019年就已官方宣布第一代技术平台，2019年投产的自主制造项目与10纳米级8Gb DDR4实现并行竞争。进入2026年，长鑫科技登陆科创板，市值一度超3.28万亿元，成为我国DRAM研发设计制造一体化的标志性企业。展望未来，骆晓东表示将持续面向全球市场推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业提供坚实底层支撑。
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