📰 2026世界制造业大会｜长鑫存储第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破_中安在线
2026世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现量产，并同期展示基于G5平台的大容量LPDDR5X新品。G5平台在多项关键工艺上实现突破，采用四重曝光技术将有源区半间距缩小至11.95纳米，靠近全球顶尖制程水平；通过工艺流程变革与新材料应用，存储电容深宽比达45:1；还开发了适配DRAM工艺的高介电常数金属栅工艺，将核心功能区缩小至6762纳米。研发过程中，建立了数字孪生系统覆盖设计、开发、制造、维护等全生命周期，支撑工艺模型与研发进程加速，并在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等方面取得突破。G5微缩工艺提升存储密度与能效，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，成本控制与性能提升明显。大会同期展出两款24Gb LPDDR5X量产产品，封装规格分别为496Ball、245Ball，适配中高端智能手机与便携消费电子，均已进入规模量产。未来，长鑫存储将继续面向全球市场推进技术迭代，提供更高性能与可靠性的存储解决方案，支撑全球数字产业的发展。
🏷️ #DRAM #G5平台 #LPDDR5X #量产 #存储
🔗 原文链接
📰 2026世界制造业大会｜长鑫存储第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破_中安在线
2026世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现量产，并同期展示基于G5平台的大容量LPDDR5X新品。G5平台在多项关键工艺上实现突破，采用四重曝光技术将有源区半间距缩小至11.95纳米，靠近全球顶尖制程水平；通过工艺流程变革与新材料应用，存储电容深宽比达45:1；还开发了适配DRAM工艺的高介电常数金属栅工艺，将核心功能区缩小至6762纳米。研发过程中，建立了数字孪生系统覆盖设计、开发、制造、维护等全生命周期，支撑工艺模型与研发进程加速，并在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等方面取得突破。G5微缩工艺提升存储密度与能效，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，成本控制与性能提升明显。大会同期展出两款24Gb LPDDR5X量产产品，封装规格分别为496Ball、245Ball，适配中高端智能手机与便携消费电子，均已进入规模量产。未来，长鑫存储将继续面向全球市场推进技术迭代，提供更高性能与可靠性的存储解决方案，支撑全球数字产业的发展。
🏷️ #DRAM #G5平台 #LPDDR5X #量产 #存储
🔗 原文链接
