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📰 台积电否认筹备3D DRAM制造业务_腾讯新闻

报道称，AI需求激增引发DRAM短缺，英伟达要求台积电探索3D DRAM生产，计划据称由前美光高管许国进推动。台积电否认此事，重申专注逻辑芯片代工。3D DRAM以垂直堆叠存储单元提升容量，但短期难解缺货。
台积电缺乏DRAM及3D制造经验，需多年巨资研发，收购小厂也难快速补足先进制程。进军还面临周期性过剩、利润下滑、合作关系及反垄断风险。相较自建产能，它可凭HBM逻辑芯片、SoIC混合键合和伙伴定制方案分享先进存储器增长。

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