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📰 SemiAnalysis：闪存制造正“由钨转钼”-证券之星

SemiAnalysis指出，3D NAND在约300层后遇到钨字线的物理瓶颈，电阻过高、氟基化学工艺导致漏电，以及在超深孔中填充困难，促使向钼转型成为必然选择。相较钨，钼具备更低电阻、无需氟基化学工艺以及在高深宽比结构中的更好填充能力，这三点正好回应深层堆叠中暴露的缺陷。当前量产仍在2xx层，行业分布显示铠侠/闪迪218层、美光276层、三星286层、SK海力士321层，向3xx至4xx层跃进已启动。SemiAnalysis预计2025年至2027年，钼在NAND总产能中的占比将由中个位数提升至约30%，三大厂商均已宣布转向钼工艺，三星自2024年起进入量产，美光2025年在Lam Research ALTUS Halo设备上启动大规模量产，SK海力士计划2026年底推出375层钼NAND。设备市场方面，钼沉积设备2027年年销售将超过10亿美元，至2030年约20亿美元/年，受益延伸覆盖DRAM与逻辑芯片的转型。 Lam Research等设备商将最先受益，后续AMAT、ASMI及北方华创等也将受益于后续扩展。上述趋势与细分市场测算已纳入前道设备模型，显示钼工艺对未来存储与计算体系的结构性影响。以上信息整理自SemiAnalysis及相关报道。

🏷️ #半导体 #3DNAND #钼工艺 #钨替代 #存储设备

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