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📰 ASML与台积电共推12英寸掩模版标准，为AI大芯片打通制造命脉

全球光刻设备龙头ASML与台积电达成合作，将6英寸掩模模板升级为12英寸，首次实现单次曝光覆盖更大面积，解决High NA EUV在光学设计上的曝光面积受限难题。AI处理器面积增大至约800平方毫米，若仍使用6英寸掩模需拼接曝光，易导致产能下降与表面接缝带来良率与可靠性隐患。因此改用12英寸掩模模板后，High NA EUV设备可实现单次曝光印制当前最大规格芯片，提升产能并降低缺陷风险。行业层面需生态协同调整，掩模基板、薄膜保护、写入检测、自动化搬运等全产业链共同适配，十年内形成新标准。台积电董事长魏哲家与ASMLCEO富凯表示将渐进推进，初期仍以6英寸为主，2030年前后逐步过渡，2033年进入大规模量产。英特尔、三星、SK海力士等也在不同阶段推进High NA量产，形成全球协同发展态势。本次合作被视为AI时代对半导体制造的里程碑，ASML的市场地位和产业链协同能力将被进一步巩固，同时也为未来十年的设备投资与技术路线指明方向。

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