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📰 晶合集成取得图像传感器相关专利，本发明制造图像传感器可降低光电管串扰

4月18日，国家知识产权局信息显示合肥晶合集成电路申请了“图像传感器及其制造方法”专利，CN114883353B，公告日为2026年4月17日。摘要指出在衬底上形成浅沟槽隔离结构分区感光区域，反复注入离子形成光电二极管预掺杂区，经退火得到掺杂区，掺深度超过隔离结构；随后沉积多晶硅并蚀刻形成控制结构，以降低相邻光电二极管串扰。

晶合集成创立于2015年5月19日，2023年5月5日登陆上海证交所，注册地在安徽合肥，主营12英寸晶圆代工。2025年营业收入108.85亿元、净利润4.66亿元，行业排名第三，主要来自晶圆制造。公司近期专利清单显示多项图像传感器及相关制造专利，体现持续技术布局。

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