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📰 宽禁带半导体竞逐升维：规模化制造与系统创新定胜负

2025年第三季度全球碳化硅（SiC）逆变器装机量同比增长约22%，达到约150万台，显示以GaN和SiC为代表的宽禁带半导体正进入规模化应用。GaN在低压领域快速放量，SiC应用亦成倍提升，成为推动产业升级的核心动力。数据中心以800V直流架构提升功率密度，GaN解决方案成为关键；国内企业英诺赛科发布的第三代GaN技术可将功率模块密度提升一倍并显著降低损耗。

🏷️ #氮化镓 #碳化硅 #宽禁带 #产业链协同

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